Främja Sveriges SiC-ledarskap via akademi–industri mobilitet
- Diarienummer
- SM25-0044
- Projektledare
- Sun, Jianwu
- Start- och slutdatum
- 260701-280630
- Beviljat belopp
- 1 300 000 kr
- Förvaltande organisation
- TEKSiC AB
- Forskningsområde
- Materialvetenskap och materialteknologier
Summary
Högkvalitativa kiselkarbidmaterial (SiC) med få defekter är avgörande för nästa generations kraftelektronik, förnybara energisystem och framväxande kvantteknologier. Nuvarande SiC-material lider dock av defekter med hög täthet, såsom basalplansförskjutningar och staplingsfel som bildas under tillväxt och kraftigt begränsar enheternas prestanda. Detta projekt angriper denna globala utmaning genom att förena avancerad materialkarakterisering med industriell reaktorutveckling. Gästforskaren, docent och chef för enheten för sublimeringsmaterial vid Linköpings universitet, kommer att genomföra ett tvåårigt utbyte på 50 % vid TekSiC AB, ett svenskt företag specialiserat på SiC-reaktorteknik. Målet är att karakterisera SiC-kristaller odlade i TekSiC:s reaktorer och ge direkt återkoppling för reaktordesign, processtyrning och tillväxtoptimering. Genom att kombinera gästforskarens akademiska expertis inom halvledarmaterial med TekSiC:s ingenjörskapacitet skapas unika synergier som påskyndar innovation inom SiC. Förväntade resultat är nya insikter i defektmekanismer, förbättrade reaktorstrategier, stärkt konkurrenskraft för svensk SiC-industri samt utbildning av studenter och ingenjörer. Denna strategiska mobilitet kommer att befästa Sveriges globala position inom SiC-teknologi, stärka det nationella innovationsekosystemet och bidra till långsiktig industriell konkurrenskraft.
Populärvetenskaplig beskrivning
Silicon carbide (SiC) is a material that plays a key role in the technologies of the future. It makes it possible to build smaller, lighter, and more energy-efficient power electronics that are essential for electric vehicles, renewable energy systems, and quantum technologies. By replacing traditional materials like silicon, SiC can help reduce energy losses, lower costs, and enable more sustainable solutions for society. However, producing high-quality SiC is extremely difficult. Today’s SiC crystals still suffer from high-density defects that are formed during growth. These defects act “killers” in the material and severely degrade the performance and reliability of the SiC devices. Growth of high-quality, low-defect SiC remains a long-standing global challenge. This project brings together the visiting researcher’s academic expertise in semiconductor material and the innovative Swedish industry’s experience in design of SiC reactors to address this global challenge. The visiting researcher from Linköping University, who is a specialist in semiconductor materials (ZnO, GaN, SiC) and devices, will work 50% full-time for two years at TEKSiC AB, an innovative Swedish company specializing in design and development of SiC reactors. The researcher will employ advanced characterizations to identify defects and evaluate SiC crystals grown in TEKSiC’s reactors. The results will provide direct feedback for reactor design, growth optimization, and industrial processes. By combining the researcher’s decades of academic expertise in semiconductor materials with TEKSiC’s engineering capacity, the project will create unique synergies that accelerate SiC innovation. This creates a unique collaboration where academic knowledge and industrial engineering meet to solve a real-world challenge. The project is expected to deliver new insights into how defects form and how they can be reduced or eliminated. These results will guide better reactor designs and growth processes, making it possible to produce SiC with fewer defects and higher quality. The outcomes will strengthen Sweden’s SiC industry, provide valuable training opportunities for students and engineers, and ensure that Sweden remains at the forefront of this strategically important technology. By combining research excellence with industrial innovation, this project will not only advance science but also contribute directly to the transition towards a more sustainable and competitive future.