Kiselkarbidelektronik
- Diarienummer
- A3 96:31
- Start- och slutdatum
- 960101-021231
- Beviljat belopp
- 91 000 000 kr
- Förvaltande organisation
- KTH - Royal Institute of Technology
- Forskningsområde
- Informations-, kommunikations- och systemteknik
Summary
Kiselkarbid har sådana materialegenskaper som gör det mycket attraktivt som komponent för högeffekt- , högfrekvens- och högtemperaturtillämpningar på grund av det stora bandgapet.. Genom tidiga statliga och industriella forskningsinsatser i början av 90-talet har Sverige en ledande ställning inom SiC-forskning. Målet för programmet är att bedriva forskning inom grundläggande frågeställningar av vikt för industriella tillämpningar inom områdena material, komponenter och system men även att fortsätta att vara bland de ledande forskargrupperna i SiC inom vissa forskningsområden.