Grafenbaserad högfrekvenselektronik
- Diarienummer
- RE10-0077
- Start- och slutdatum
- 110301-161231
- Beviljat belopp
- 27 770 000 kr
- Förvaltande organisation
- Chalmers University of Technology
- Forskningsområde
- Informations-, kommunikations- och systemteknik
Summary
Vi kommer att fortsätta att utveckla nyckelkompetens inom grafenbaserad nanoelektronik med fokus på högfrekvenselektronik och THz-teknologi. Grafen, ett monolager av grafit, har unika elektroniska egenskaper och besitter en oerhörd potential som material i elektroniska komponenter. Globalt sett drog en intensiv forskningsaktivitet igång 2004, då grafen demonstrerades i laboratoriemiljö. Dess elektronmobilitet är exceptionellt hög och möjliggör ultrasnabba elektroniska komponenter. På Chalmers och på Linköpings Universitet finns ett antal grupper som var för sig har verksamhet inom grafenbaserad nanoelektronik. Inom detta projekt kommer vi att gemensamt arbeta för att modellera, utforma och bygga grafenbaserade fälteffekttransistorer (G-FET) och att demonstrera nya grafenbaserade elektroniksystem, så som t.ex THz detektorer. Projektet består av två aktiviteter som är sinsemellan sammanlänkade. Den första aktiviteten fokuserar på att realisera en G-FET med en gränsfrekvens väl över 100 GHz. Den andra aktiviteten ser på olika grafenbaserade elektroniksystem så som resonatorer och sensorer, blandare och frekvens multiplikatorer, samt enkla integrerade kretsar med sändar/motagar funktionalitet. För att säkerställa den strategiska relevansen kommer vi att bilda en styrgrupp med ett råd av industrirepresentanter. Resultaten av detta projekt är ett nytt grafenbaserat koncept för THz-teknik och en stärkt kompetens inom ett för Sverige strategiskt viktigt område.
Populärvetenskaplig beskrivning
Vi kommer att utveckla nyckelkompetens inom grafenbaserad nanoelektronik med fokus på THz-teknologi. Grafen, ett monolager av grafit, d.v.s ett en atomlager tjock skikt, har unika elektroniska egenskaper och besitter en oerhörd potential som material i elektroniska komponenter. Globalt sett drog en intensiv forskningsaktivitet igång 2004, då grafen demonstrerades i laboratoriemiljö. Dess elektronmobilitet är exceptionellt hög och möjliggör ultrasnabba elektroniska komponenter. På Chalmers finns ett antal grupper som var för sig har verksamhet inom grafenbaserad nanoelektronik. Dessa grupper arbetar tillsammans med en materialgrupp i Linköping som har en process för framställning av kanske världens bästa grafen för grafenbaserad elektronik. Inom detta projekt kommer vi att gemensamt arbeta för att modellera, utforma och bygga grafenbaserade fälteffekttransistorer (G-FET) och THz detektorer. Projektet består av två aktiviteter som är sinsemellan sammanlänkade. Den första aktiviteten fokuserar på att realisera en G-FET med en gränsfrekvens väl över 100 GHz. Den andra aktiviteten ser på olika grafenbaserade elektroniksystem så som resonatorer och sensorer, blandare och frekvens multiplikatorer, samt enkla integrerade kretsar med sändar/motagar funktionalitet.