Avancerade GaN-komponenter för mm och sub-mmvågs kommunicati
- Diarienummer
- STP19-0008
- Projektledare
- Rorsman, Niklas
- Start- och slutdatum
- 200601-250531
- Beviljat belopp
- 10 000 000 kr
- Förvaltande organisation
- Chalmers University of Technology
- Forskningsområde
- Informations-, kommunikations- och systemteknik
Summary
I detta projekt kommer vi tillsammans med två Taiwanesiska universitet att optimera elektronik för millimetervågs- och kraftelektronik som är baserade på III-nitrid halvledare. De deltagande universitetn är Chalmers och Linköpings universitet i Sverige samt National Chiao Tung University och Yuan Ze University i Taiwan. Tillsammns så kan denna konstellation utföra forskning som spänner från grundläggande materialfysik till avancerad kretskonstruktion. Denna kombination är nödvändig för att till fullo kunna utnyttja den potential som III-nitrid material och komponenter besitter i form av uteffekt, linjaritet, brus, och tillförlitlighet. Dessa egenskaper är mycket attraktiva i ingrastruktur för trådlös kommunikation, olika typer av sensor system och energiöverföring. Projektet faller inom ramen för både IKT och material forskningsområdena som är angivna i SSFs utlysningstext. Alla deltagande forskningsgrupper har en lång erfarenhet i forskningsområdet och konstellation är komplementär. Det finns redan nu nära samarbeten mellan grupperna, men i och med detta projekt kan nu detta samarbete befästas. Tack vare gruppernas omfattande och befintliga forskningssamverkan med svensk och taiwanesisk kan forskningsresultaten komma näringslivet till del i Sverige, Taiwan och Europa.
Populärvetenskaplig beskrivning
I detta projekt kommer Chalmers och Linköpings universitet tillsammans med två Taiwanesiska universitet (National Chiao Tung University och Yuan Ze University) att optimera elektronik som är baserade på Gallium Nitrid. Denna typ av handledare har unika egenskaper som gör att den passar både för tillämpningar vid höga frekvenser och höga effekter, vilket gör den attraktiv i framtidens infrastruktur för trådlöskommunikation. För att trådlöst kunna överföra data med en hastighet upp till 100 gigabit per sekund över längre avstånd behövs fortsatt forskning och utveckling av denna typ av halvledarelektronik. Forskningen handlar om att förstå hur man växer atomtunna lager av halvledaren på bästa sätt och hur man designar och tillverkar transistorer med detta material för att kunna tillgodogöra sig materialets inneboende kapacitet. Komponenterna används sedan i design och tillverkning av integrerade kretsar, där vi fokuserar på kretsar som generera och förstärker mikrovågssignaler. De deltagande universiteten kombinerar sina kunskaper inom material- och komponentfysik, och kretskonstruktion för att utforska möjligheter med denna teknologi. Denna kombination är nödvändig för att till fullo kunna utnyttja den potential som GaN material och komponenter besitter. Resultaten kan tack vare forskningsgruppernas nära samarbete med industrier i andra projekt snabbt komma näringslivet till del. Elekroniken har också tillämpningar inom kraftelektronik, radarsystem, samt inom rymdforskning