Simulering av SiC epitaxi-processer
- Diarienummer
- SM11-0051
- Start- och slutdatum
- 120101-131231
- Beviljat belopp
- 495 000 kr
- Förvaltande organisation
- Linköping University
- Forskningsområde
- Materialvetenskap och materialteknologier
Summary
Den planerade forskningen handlar om tillväxtmodellering av SiC. Det aktiva, epitaxiska skiktet hos de flesta SiC komponenter tillverkas genom CVD-processen. Linköpings universitet har utvecklat en ny klor-baserad kemi för CVD av SiC, som tillåter högre tillväxthastigheter vid låga temperaturer, med bibehållen materialkvalitet. För att ytterligare öka kunskapen kring tillväxtprocessen kommer modellering att vara väldigt användbart, och modellering kan också hjälpa till i förståelsen av varför olika klor-baserade gaser ger upphov till olika resultat. På så vis kan modellering vara en metod för att avgöra vilka gaser som är mest lämpade för processen. Örjan Danielsson, för närvarande anställd vid Sandvik Heating Technology, kommer att arbeta deltid vid Linköpings universitet för att utveckla nya modeller för klor-baserad CVD-tillväxt av SiC. Experimentell validering av tillväxtmodellerna och handledning av en doktorand ligger också inom ämnet för denna ansökan. Sandvik Heating Technology är redan idag en leverantör av lösningar och system för halvledarindustrin. Dessa system är dock designade för kisel-baserade processer. De senaste åren har intresset ökat för lösningar som klarar högre temperaturer, och då handlar det bland annat om processer för SiC. För att utveckla sådana system är det nödvändigt att använda modellering för att kunna förutsäga systemets funktion redan i designfasen av utvecklingsprocessen.
Populärvetenskaplig beskrivning
Den planerade forskningen handlar om tillväxtmodellering av SiC. Det aktiva, epitaxiska skiktet hos de flesta SiC komponenter tillverkas genom CVD-processen. Linköpings universitet har utvecklat en ny klor-baserad kemi för CVD av SiC, som tillåter högre tillväxthastigheter vid låga temperaturer, med bibehållen materialkvalitet. För att ytterligare öka kunskapen kring tillväxtprocessen kommer modellering att vara väldigt användbart, och modellering kan också hjälpa till i förståelsen av varför olika klor-baserade gaser ger upphov till olika resultat. På så vis kan modellering vara en metod för att avgöra vilka gaser som är mest lämpade för processen. Örjan Danielsson, för närvarande anställd vid Sandvik Heating Technology, kommer att arbeta deltid vid Linköpings universitet för att utveckla nya modeller för klor-baserad CVD-tillväxt av SiC. Experimentell validering av tillväxtmodellerna och handledning av en doktorand ligger också inom ämnet för denna ansökan. Sandvik Heating Technology är redan idag en leverantör av lösningar och system för halvledarindustrin. Dessa system är dock designade för kisel-baserade processer. De senaste åren har intresset ökat för lösningar som klarar högre temperaturer, och då handlar det bland annat om processer för SiC. För att utveckla sådana system är det nödvändigt att använda modellering för att kunna förutsäga systemets funktion redan i designfasen av utvecklingsprocessen.